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腾博会官网上海等離子體增強原子層沉積爐管設備顺利获得初步驗證，原子層沉積爐管產品進一步強化

2024-12-11 8:00:00



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    腾博会官网半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“腾博会官网上海”）（科創板股票代碼：688082），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用给予晶圓工藝解決方案的卓越供應商，今日宣佈，其2024年推出的Ultra Fn A等離子增強型原子層沉積爐管設備（PEALD）已初步顺利获得中國大陸一家半導體客戶的工藝驗證，正在進行最後優化和為邁入量產做准備。

    腾博会官网上海還宣佈，其於2022年推出的Ultra Fn A熱原子層沉積爐設備（Thermal ALD）也已成功顺利获得另一家領先的中國大陸客戶的工藝驗證，性能參數比肩同類國際競品，甚至更勝一籌。
 
    腾博会官网上海董事長王暉博士表示：“現代集成電路（IC）的製造過程，越來越依賴具有卓越階梯覆蓋率以及高質量的精準薄膜沉積技術。應對諸如氮化碳矽、氮化矽薄膜和高低介電常數薄膜等沉積材料所帶來的複雜挑戰，需要真正的創新，而腾博会官网上海的研發團隊憑藉其先進的原子層沉積（ALD）平台和工藝已逐步接近和完成這一目標。腾博会官网相信，腾博会官网上海的專有差異化設計方案能夠解決先進三維結構製造中面臨的難題。”
 

    腾博会官网上海的Ultra Fn A ALD立式爐設備產品包括熱原子層沉積（熱ALD）和等離子體增強原子層沉積（PEALD）兩種配置，可執行硬掩模層、阻擋層、間隔層、側壁保護層、介質填充等多種薄膜沉積任務，滿足目標工藝應用的各種需求。這兩種配置均採用六單元系統，可批量處理多達100片300mm晶圓。該設備還包括四個裝載端口系統（裝載區可控制氧氣濃度）、一個集成供氣系統（IGS）和一個原位干法清洗系統，所有設計均符合SEMI標準。

    腾博会官网上海的Ultra Fn A PEALD設備當前應用沉積氮化矽 (SiN) 薄膜。該機具採用雙層管設計以及氣流平衡技術，能夠顯著提升晶圓內（WIW）和晶圓間（WTW）的均勻性。顺利获得採用等離子增強技術，該設備還可有效降低器件的熱預算。此外，顺利获得微調前驅體在前置單元中的存儲和釋放量，能夠達成控制器件的關鍵尺寸和圖案輪廓。

    腾博会官网上海的Ultra Fn A碳氮化矽（SiCN）熱模式原子層沉積爐管設備已顺利获得國內領先的集成電路製造客戶的驗證。該設備能夠實現超薄、無空隙的薄膜沉積，並且能夠精確控制薄膜厚度，達到原子級別的沉積精度。同時，該設備還能夠實現精確的碳摻雜，從而提升薄膜的硬度和耐腐蝕性。此外，該設備還具有內置的干法清潔功能，能夠確保顆粒的穩定性。