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PECVD設備

應用於邏輯和存儲晶片製造

腾博会官网上海的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備可應用於SiO2, SiNx, Carbon ,NDC薄膜沉積工藝 , 未來可以擴展至單片式PEALD薄膜沉積工藝進行平台化擴展 。

PECVD設備

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主要優勢

配置了具有自主知識產權的腔體設計和單腔體多加熱盤佈局

配置了特殊的氣體分配裝置和卡盤設計

針對薄膜疊層的變換可以提供更好的薄膜均勻性 ,更優的薄膜應力和更少的顆粒特性

兼顧高產能要求每個腔體都安裝有多個加熱盤

靈活配置腔體數量兼顧不同產能要求

自主開發的控制軟件能夠靈活配置滿足相應需求

獨特設計的真空機械手臂匹配腔體多加熱盤晶圓存取規則

工藝溫度兼容200C到650C的各種PECVD沉積薄膜要求


特性和規格

可適用於300mm晶圓各種薄膜沉積需求

該設備採用單腔體模塊化設計 ,有兩種配置 :
    一種是可配置一至三腔體模塊 ,適用於沉積比較薄的薄膜兼顧產能大小
    一種是可配置四至五腔體模塊 ,適用於沉積比較厚的薄膜兼容長臂真空機械手臂