Post-CMP清洗設備
應用於矽片和碳化矽襯底製造
腾博会官网上海的Post-CMP設備用於製造高質量襯底化學機械研磨(CMP)工藝之後的清洗 ，有濕進干出（WIDO）和干進干出（DIDO）兩種配置 。該清洗設備6英寸和8英寸的配置適用於碳化矽（SiC）襯底製造；8英寸和12英寸配置適用於矽片製造 。
Post-CMP清洗設備
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主要優勢
在CMP步驟之後 ，需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝 ，以減少顆粒數量 。腾博会官网上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求 ，並提供多種配置 ，包括腾博会官网上海自主研發的 Smart MegasonixTM先進清洗技術 。
特性和規格（Ultra C WPN（WIDO））
在線預清洗設備 ：
可實現37納米以下少於15個剩餘顆粒或28納米以下
20-25個剩餘顆粒
金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內
當配置4個腔體的時候 ，產能可達每小時35片晶圓
離線預清洗設備 ：
可實現37納米以下少於15個剩餘顆粒或28納米以下
20-25個剩餘顆粒
佔地面積小
特性和規格（Ultra C WPN（DIDO））
可配置四個裝載端口
佔地面積小
可配置四或六個腔體 ，分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體
可實現37納米以下少於15個剩餘顆粒或28納米以下20-25個剩餘顆粒
最高產能可達每小時60片晶圓
